Memória da IBM com tecnologia SOI consome menos energia e rende mais

A IBM anunciou recentemente que está fazendo testes com um protótipo de memória de 32 nanômetros capaz de ter rendimento até 40% maior e de exigir cerca de 30% a menos de energia que os padrões atuais. Isso se deve ao uso da tecnologia SOI (Silicon-On-Insulator), que “protege” os transístores do chip de memória com uma camada de isolamento que reduz a perda elétrica, resultando em economia de energia e melhor fluxo de corrente.

A memória que a IBM está testando é chamada de eDRAM (embedded DRAM), usa células menores que as utilizadas atualmente e é capaz de oferecer velocidades e capacidades maiores que as de um chip SRAM de 15 nanômetros – seu tempo de latência, por exemplo, é menor que 2 nanosegundos. Além disso, a tecnologia exige quatro vezes menos energia auxiliar (utilizada quando o chip não está ativo) e possui uma taxa de erros causados por cargas elétricas cerca de mil vezes menor, fazendo com que a tecnologia seja também mais confiável.

A IBM pretende levar os benefícios dos chips de 32 nanômetros com SOI para circuitos integrados do tipo ASIC (Application Specific Integrated Circuit) e oferecer a tecnologia a integradores. A ARM, por exemplo, já está trabalhando com o padrão. É possível saber mais sobre SOI em www.soiconsortium.org.

Saiba mais sobre memória RAM aqui.

Referência: IBM.