O que é memória RAM? Conceito, características e tipos

Introdução

RAM é a sigla para Random Access Memory. Trata-se de um componente presente em computadores pessoais, servidores, celulares e outros dispositivos computacionais que armazena, temporariamente, os dados dos quais o processador precisa.

Nas próximas linhas, você descobrirá o porquê de a memória RAM existir, como ela funciona, quais tipos existem, além de parâmetros e conceitos relacionados ao assunto.

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Se preferir, avance diretamente para um dos tópicos do texto:

- O conceito de memória RAM
- Principais tipos de memória RAM
. Memória DRAM
. Memória SRAM
. Memória MRAM
. Memória ReRAM
- Funcionamento das memórias RAM
. Valores CAS e RAS
. Temporização e latência das memórias RAM
.. tCL (CAS Latency)
.. tRCD (RAS to CAS Delay)
.. tRP (RAS Precharge)
.. tRAS (Active to Precharge Delay)
.. CR (Command Rate)
. Parâmetros para overclock
. O que é frequência (clock) de memória?
. Megatransfers por segundo (MT/s)
- Correção de erros (paridade e ECC)
. Paridade
. ECC (Error Checking and Correction)
- Tensão das memórias RAM ("voltagem")
- Tipos de encapsulamento de memória
. DIP (Dual In line Package)
. SOJ (Small Outline J-Lead)
. TSOP (Thin Small Outline Package)
. CSP (Chip Scale Package)
- Tipos de módulos de memória
. SIPP (Single In Line Pins Package)
. SIMM (Single In Line Memory Module)
. DIMM (Double In Line Memory Module)
- Padrões de memória RAM
. Memória FPM (Fast Page Mode)
. Memória EDO (Extended Data Output)
. Memória SDR SDRAM (ou apenas SDRAM)
. Memórias DDR (Double Data Rate)
. Memória Rambus DRAM (RDRAM)

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Módulos de memória RAM

O conceito de memória RAM

RAM significa Random Access Memory — Memória de Acesso Aleatório, em tradução livre. Trata-se de um tipo de memória que armazena os dados que o processador (ou CPU) precisa para executar o sistema operacional e os demais softwares do computador.

Esse tipo de memória tem um processo de gravação de dados extremamente rápido. Contudo, a RAM é um tipo de memória volátil. Isso significa que os dados armazenados ali se perdem quando a memória RAM deixa de receber energia elétrica, isto é, quando o computador é desligado. A perda de dados também ocorre quando a máquina é reiniciada.

Mas isso não chega a ser um problema, afinal, a memória RAM tem o propósito de armazenar dados temporariamente. Quando o processamento de uma atividade é finalizada, os dados relacionados a essa tarefa podem ser excluídos da memória RAM, permitindo que o espaço liberado seja ocupado por dados relacionados a outros processos.

A RAM também permite que o computador alterne entre os vários processos abertos, como quando o usuário deixa um software em primeiro plano e, em seguida, muda para outro.

Para isso, é importante que o computador tenha espaço suficiente de armazenamento de dados. Esse parâmetro é medito em bits, bytes e seus múltiplos. O tamanho do espaço, ou seja, a "quantidade de memória RAM", varia de acordo com as necessidades operacionais. Mas, via de regra, quanto mais memória, melhor.

A memória RAM é, portanto, um componente essencial para notebooks, desktops, servidores, celulares, tablets, smart TVs, relógios inteligentes e vários outros dispositivos que processam dados — do ponto de vista conceitual, todos esses dispositivos podem ser considerados computadores.

Principais tipos de memória RAM

Há três tipos principais de memória RAM: DRAM, SRAM e MRAM. Há ainda um quarto tipo, pouco comum, chamado ReRAM. Cada variação é explicada brevemente a seguir.

Memória DRAM

DRAM significa Dynamic Random Access Memory, ou RAM Dinâmica. Trata-se do tipo de memória RAM mais comum e que se caracteriza principalmente por ser disponibilizado em módulos que suportam grandes quantidades de dados.

No entanto, o acesso aos dados armazenados na DRAM costuma ser mais lento do que o acesso às memórias estáticas, vistas no próximo tópico.

Memórias DRAM também costumam ter custo menor em relação ao tipo estático.

Memória SRAM

SRAM é a sigla para Static Random Access Memory, ou RAM Estática. Esse tipo de memória é muito mais rápido no acesso aos dados do que as memórias DRAM.

Além disso, memórias SRAM tipicamente são baseadas em circuitos do tipo flip-flop, que faz não ser necessário atualizá-las constantemente, ao contrário do tipo DRAM.

Porém, memórias SRAM armazenam menos dados proporcionalmente, além de terem custo por megabyte muito superior, novamente na comparação com o tipo DRAM.

Por isso, memórias SRAM costumam ser utilizadas com propósitos muitos específicos. Exemplo: elas são frequentemente implementadas como memória cache de processadores.

Memória MRAM

MRAM significa Magnetoresistive Random Access Memory, ou RAM Magnetorresistiva. Trata-se de um tipo de memória que utiliza células magnéticas para armazenar dados.

As propriedades magnéticas das memórias MRAM fazem elas demandarem menos energia elétrica, serem rápidas nas transferências e armazenarem dados por longos períodos de tempo, mesmo na ausência de energia elétrica.

Mas, por serem muito caros, componentes baseados em MRAM são pouco comuns, razão pela qual esse tipo de tecnologia só é empregado em dispositivo muito específicos.

Memória ReRAM

ReRAM ou RRAM (Resistive Random Access Memory ou Memória de Acesso Aleatório Resistiva) é um tipo de memória não volátil, ou seja, que não perde os dados quando não há alimentação elétrica, ao contrário do que ocorre com o tipo SDRAM, por exemplo.

Memórias ReRAM são baseadas em um componente chamado memristor (de memory resistor). Um memristor é formado por dois terminais e, quando uma corrente elétrica flui de um para o outro, a sua resistência aumenta.

Mas, se o caminho contrário é feito, a resistência diminui. Quando a corrente deixa de fluir, o último nível de resistência é mantido, possibilitando a gravação de dados.

A característica de não volatilidade das memórias ReRAM as fazem ser empregadas como tecnologia de armazenamento de dados de longo prazo. Nesse sentido, elas concorrem com a memória Flash que é a base de SSDs e de cartões SD ou microSD, pelo menos até certo ponto.

Funcionamento das memórias RAM

No âmbitos das memórias RAM, o tipo DRAM é o que mais nos interessa, pois constitui um dos componentes essenciais de um computador.

Módulos de memória DRAM são formados por chips que contêm grandes quantidades de capacitores e transistores. Basicamente, um capacitor e um transistor, juntos, formam uma célula de memória. O primeiro tem a função de armazenar corrente elétrica durante certo tempo, enquanto o segundo controla a passagem dessa corrente.

Quando o capacitor armazena corrente, tem-se um bit 1. Do contrário, tem-se um bit 0. O problema é que esse estado é mantido por um curto período de tempo.

Para não haver perda de dados, um componente do controlador de memória é responsável pela função de refresh (ou atualização), que consiste em regravar o conteúdo da célula. Esse procedimento é realizado milhares de vezes por segundo.

O refresh é uma solução acompanhada de "efeitos colaterais": esse processo aumenta o consumo de energia e, como consequência, tende a aumentar o calor resultante. Além disso, a velocidade de acesso à memória acaba sendo reduzida.

A memória SRAM é bastante diferente da DRAM. O principal motivo para isso é o fato de que esse padrão utiliza conjuntos maiores de transistores e resistores para formar uma célula de memória.

A vantagem dessa abordagem é que o refresh acaba não sendo tão necessário, o que faz a memória SRAM ser mais rápida e demandar menos energia.

Por outro lado, como a sua fabricação é mais complexa e requer mais componentes, o seu custo final acaba sendo elevado, encarecendo por demais a construção de um computador baseado somente nesse tipo de tecnologia.

É por isso que o padrão SRAM é comumente implementado como cache, pois esse tipo de aplicação não requer grandes quantidades de memória.

Como as memórias DRAM são mais comuns, elas serão o foco deste texto nas explicações gerais sobre RAM. Por causa disso, o termo "RAM" será usado como sinônimo de "DRAM" a partir deste ponto.

Módulo de memória RAM em uma placa-mãe

Valores CAS e RAS

Outro aspecto muito relacionado a memórias RAM são os conceitos de CAS e RAS.

Para entendê-los, é importante ter em mente que o processador armazena na memória RAM os dados com os quais trabalha. Portanto, operações de gravação, eliminação e leitura são realizadas a todo momento. Esse trabalho todo é possível graças um circuito especial chamado controlador de memória.

Para facilitar a realização das operações, as células de memória são organizadas em uma espécie de matriz, ou seja, são orientadas em um esquema que lembra linhas e colunas.

O cruzamento de uma linha (também chamada de wordline) com uma coluna (bitline) forma o que conhecemos como endereço de memória.

Para acessar o endereço de uma posição na memória, o controlador obtém o seu valor de coluna, ou seja, o valor RAS (Row Address Strobe) e o seu valor de linha, ou seja, o valor CAS (Column Address Strobe).

Temporização e latência das memórias RAM

Outros parâmetros importantes envolvem temporização e latência, que indicam o tempo que o controlador de memória gasta com operações de leitura e escrita. Em linhas gerais, quanto menor esse valores, mais rápidas são as operações.

Tomemos como exemplo um módulo de memória que informa os seguintes valores em relação à latência: 5-4-4-15-1T. Esse valor está escrito nesta forma: tCL-tRCD-tRP-tRAS-CR. Vejamos o que cada parâmetro significa a seguir.

Antes, saiba que esses parâmetros costumam ser informados pelo fabricante na embalagem, etiqueta ou página de descrição do módulo de memória. Softwares como o popular CPU-Z também podem dar essas informações.

tCL (CAS Latency)

Quando uma operação de leitura é iniciada, sinais ativam as linhas (RAS) e as colunas (RAS) correspondentes, determinam se a operação é de leitura ou escrita (CS — Chip Select) e assim por diante.

O parâmetro tCL, ou CAS Latency (Latência do CAS) indica o período que existe entre o envio de um sinal CAS e a disponibilização dos respectivos dados. Esse parâmetro é dado em ciclos de clock, mas também pode ser informado em milésimos de segundo (ms).

Em nosso exemplo (5-4-4-15-1T, relembrando), a latência é de 5 ciclos de clock.

Nas especificações de módulos de memória RAM, esse parâmetro pode ser indicado com a sigla CL (de CAS Latency) seguida de um número que aponta a quantidade de ciclos, como em CL9 (latência de nove ciclos) e CL11 (11 ciclos).

tRCD (RAS to CAS Delay)

O tRCD (RAS to CAS Delay) indica, também em ciclos de clock, o intervalo que existe entre a ativação da linha e da coluna de um determinado dado. No nosso exemplo, esse valor corresponde a 4.

tRP (RAS Precharge)

O tRP (RAS Precharge) consiste no intervalo em clocks que informa o tempo gasto entre desativar o acesso a uma linha e ativar o acesso a outra. Em nosso exemplo, esse valor é de 4 ciclos.

tRAS (Active to Precharge Delay)

O tRAS (Active to Precharge Delay) é um parâmetro que indica o intervalo, novamente em clocks, necessário entre um comando de ativar linha e a próxima ação do mesmo tipo. Em nosso exemplo, esse valor é de 15 ciclos de clock.

CR (Command Rate)

O CR (Command Rate) é um parâmetro que indica o intervalo existente entre a ativação do sinal CS e qualquer outro comando. Em geral, esse valor é de 1 ou 2 ciclos de clock e é acompanhado da letra T. No nosso exemplo, esse valor é de 1 ciclo.

Parâmetros para overclock

Algumas placas-mãe (motherboards) e softwares que detalham as características do hardware do computador podem informar mais parâmetros sobre a memória RAM, além daqueles mencionados anteriormente.

Essas informações são úteis especialmente para a prática de overclock, que consiste em ajustes que fazem a memória trabalhar com parâmetros acima dos definidos de fábrica.

Entre essas informações estão:

- tRC (Row Cycle): consiste no tempo necessário para que se complete um ciclo de acesso a uma linha da memória;

- tRFC (Row Refresh Cycle): indica o tempo necessário para a execução dos ciclos de refresh da memória;

- tRTP (Read to Precharge Delay): indica o tempo necessário entre uma operação de leitura efetuada e ativação do próximo sinal;

- tRRD (Row To Row Delay): semelhante ao tRP, mas considera o tempo que o controlador espera após uma nova linha ter sido ativada;

- tWR (Write Recovery): informa o tempo necessário para que o controlador de memória comece a efetuar uma operação de escrita após realizar uma operação do mesmo tipo;

- tWTR (Write to Read Delay): consiste no tempo necessário para que o controlador de memória comece a executar operações de leitura após efetuar uma operação de escrita.

O que é frequência (clock) de memória?

A frequência, ou clock, é uma medida dada atualmente em megahertz (MHz) ou gigahertz (GHz) que define quão rápida é a taxa de transferência de dados entre a memória RAM e o processador. Considere que 1 MHz é o mesmo que 1 milhão de ciclos de operação.

Via de regra, quanto maior essa medida, mais rápida é a transferência de dados. Contudo, clocks elevados também podem resultar em maior geração de calor ou de consumo de energia.

Para que haja equilíbrio entre esses fatores, os fabricantes determinam a frequência com base em uma série de parâmetros, como tecnologia da memória, tensão suportada e presença de recursos de dissipação de calor.

Quando a memória RAM é configurada em um computador para operar com níveis de frequência acima do máximo estabelecido pelo fabricante, tem-se um overclock.

Técnicas de overclock podem aumentar o desempenho da memória RAM, mas também podem causar instabilidade no computador, razão pela qual esse procedimento deve ser feito com bastante cuidado.

Megatransfers por segundo (MT/s)

Embora a frequência possa dar informações importantes sobre o desempenho da memória RAM, é recomendável considerar a medida em megatransfers por segundo (MT/s) para ter noções mais claras sobre isso.

1 MT/s corresponde a 1 milhão de transferências por segundo. Se um módulo de memória RAM trabalha a 4.800 MT/s, por exemplo, isso indica que essa unidade lida com 4,8 bilhões de transferências por segundo. Novamente, quanto mais, melhor.

A medida em MT/s dá uma noção mais precisa do desempenho porque informa a quantidade de transferências de dados por segundo. Já a medida em MHz ou GHz informa os ciclos de execução por segundo. Contudo, cada ciclo pode suportar duas ou mais transferências por vez, de acordo com a tecnologia da memória RAM.

Memória DDR3 (PC3) em módulo SO-DIMM para notebooks

Correção de erros (paridade e ECC)

Alguns mecanismos foram desenvolvidos para ajudar na detecção de erros na memória, falhas estas que podem ter várias causas. Esses recursos são especialmente úteis em aplicações corporativas, razão pela qual são comumente empregados em computadores profissionais (como workstations) e servidores.

Paridade

Um desses mecanismos é a paridade, técnica capaz apenas de ajudar na detecção de erros, mas não em sua correção. Nesse método, um bit é adicionado a cada byte de memória (lembre-se: 1 byte corresponde a 8 bits).

Esse bit assume o valor 1 se a quantidade de bits 1 do byte for par e assume o valor 0 (zero) se a referida quantidade por ímpar. O contrário também pode acontecer: 1 para ímpar e 0 para par.

Quando a leitura de dados é feita, um circuito verifica se a paridade corresponde à quantidade de bits 1 ou 0 do byte. Se for diferente, um erro foi detectado, cabendo a um sistema atuar para corrigir o problema.

ECC (Error Checking and Correction)

A paridade pode não ser tão precisa, pois um erro em dois bits, por exemplo, é capaz de fazer o bit de paridade corresponder à quantidade par ou ímpar de bits 1 do byte. Assim, para aplicações que exigem alta precisão dos dados, pode-se contar com memórias que tenham ECC (Error Checking and Correction).

Uma memória com ECC trabalha com um conjunto de bits que armazena um código gerado quando um dado é gravado. A leitura desse dado também gera um código, que deve ser comparado com o código da gravação. Uma diferença entre eles indica que há um erro.

O bit problemático deve ser identificado e corrigido. Ele pode ter mudado de estado (de 0 para 1 ou vice-versa) por conta de interferência elétrica, por exemplo.

É possível que mais de um bit tenha mudado indevidamente de estado. Nessa situação, geralmente a técnica de ECC não faz correção. Contudo, a maior parte dos erros de memória envolve apenas um bit.

Tensão das memórias RAM ("voltagem")

A memória RAM é um componente que tipicamente consome baixa quantidade de energia elétrica. O padrão de consumo é avaliado por meio dos níveis de tensão (parâmetro informalmente chamado de "voltagem").

Contudo, a tensão com a qual um módulo de RAM trabalha varia de acordo com a sua tecnologia. Módulos de memória antigos podem exigir algo próximo a 5 V, por exemplo.

Já padrões mais modernos exigem níveis muito menores de tensão. São os casos das memórias DDR5 e DDR4, que trabalham com tensões típicas de 1,1 V e 1,2 V, respectivamente.

Os principais tipos de memória RAM são apresentados mais à frente.

Tipos de encapsulamento de memória

O encapsulamento consiste no padrão de chip que abriga as células de memória. A combinação desses chips forma o módulo (ou pente) de memória RAM. Há vários tipos de encapsulamento no mercado. Os principais são abordados brevemente a seguir.

DIP (Dual In line Package)

O DIP (Dual In line Package) é um dos primeiros tipos de encapsulamento usados em memórias, sendo especialmente popular nas épocas dos computadores XT e 286 (anos 1980).

Por contar com terminais de contato (as famosas "perninhas") de grande espessura, seu encaixe ou fixação em placas por meio de solda pode ser feita com relativa facilidade.

SOJ (Small Outline J-Lead)

O encapsulamento SOJ (Small Outline J-Lead) tem esse nome porque seus terminais de contato lembram a letra 'J'. Foi um padrão bastante utilizado em módulos SIMM (vistos mais à frente).

Sua forma de fixação em placas é feita por meio de solda, não requerendo furos na superfície da placa.

Encapsulamento SOJ

TSOP (Thin Small Outline Package)

TSOP (Thin Small Outline Package) é um tipo de encapsulamento cuja espessura é bastante reduzida em relação aos padrões citados anteriormente (cerca de um terço menor que o SOJ). Por causa disso, seus terminais de contato são menores, além de mais finos, diminuindo a incidência de interferências na comunicação.

Trata-se de um tipo de encapsulamento aplicado em módulos de memória SDR SDRAM e DDR (que serão abordados adiante). Há uma variação desse encapsulamento chamado STSOP (Shrink Thin Small Outline Package) que é ainda mais fino.

Encapsulamento TSOP

CSP (Chip Scale Package)

O CSP (Chip Scale Package) é um tipo de encapsulamento mais moderno. O padrão se destaca por ser compacto e não utilizar pinos de contato que lembram as tradicionais "perninhas". Em vez disso, essa variação é baseada em um tipo de encaixe chamado BGA (Ball Grid Array).

O encapsulamento CSP é empregado em módulos como DDR2, DDR3 e DDR4 (que serão vistos à frente).

Encapsulamento TSOP

Tipos de módulos de memória

Um módulo ou, ainda, pente (denominação informal pouco usada atualmente) consiste em uma pequena placa onde são instalados os encapsulamentos de memória (chips) abordados no tópico anterior.

Normalmente, essa placa é fixada à placa-mãe por meio de encaixes (slots) específicos para isso, mas também podem ser soldadas ao componente. É a combinação de chips em módulos que formam as unidades de memória RAM em si.

A seguir, uma breve descrição dos tipos mais comuns de módulos.

SIPP (Single In Line Pins Package)

O SIPP (Single In Line Pins Package) foi um dos primeiros tipos de módulos a serem adotados pela indústria. É um padrão caracterizado por trabalhar com uma fileira única de pinos de contato, em vez de cobrir os dois lados do encapsulamento.

Normalmente, módulos do tipo eram formatos por chips com encapsulamento DIP. Além disso, essas unidades costumavam ser soldadas à placa-mãe.

SIMM (Single In Line Memory Module)

Módulos SIMM (Single In Line Memory Module) de memória RAM geralmente eram encaixados na placa-mãe. Esse padrão também foi desenvolvido para suportar uma única linha de pinos de contato.

A primeira versão continha 30 terminais de contato (SIMM de 30 vias) e era formada por um conjunto de oito chips (ou nove, para paridade). Com isso, podiam transferir um byte por ciclo de clock.

Mais tarde surgiu uma versão com 72 pinos (SIMM de 72 vias), maior e capaz de transferir 32 bits por vez.

DIMM (Double In Line Memory Module)

O padrão DIMM (Double In Line Memory Module) leva esse nome por ter terminais de contato em ambos os lados do módulo. As memórias SDR RAM (vistas a seguir) estrearam essa especificação com módulos de 168 pinos.

Posteriormente, o padrão DIMM foi incorporado em todas as variações das memórias DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4 e DDR5), havendo apenas poucas diferenças físicas entre elas.

Existe ainda um padrão DIMM de tamanho reduzido chamado SODIMM (Small Outline DIMM) implementado principalmente em memórias RAM para notebooks, pois esse tipo de computador precisa de componentes compactos.

Memória DDR com módulo DIMM (imagem original: BLUEamnesiac/DeviantArt)

Padrões de memória RAM

Várias tecnologias ou padrões de memória RAM foram e são criadas com o passar do tempo. Normalmente, cada nova variação visa combinar aumento de desempenho na transferência de dados com menor consumo energético.

A seguir, conheça as principais tecnologias de memória RAM, começando com pelos padrões mais antigos.

Memória FPM (Fast Page Mode)

As memórias FPM foram um dos primeiros padrões de RAM do mercado. Com o FPM, a primeira leitura da memória tem um tempo de acesso maior do que as leituras seguintes. Isso porque aqui são feitos quatro operações de leitura seguidas em vez de apenas uma, em um esquema do tipo x-y-y-y. Por exemplo: 3-2-2-2 ou 6-3-3-3.

A primeira leitura acaba sendo mais demorada, mas as três seguintes são mais rápidas. A razão disso é que o controlador de memória trabalha apenas uma vez com o endereço de uma linha (RAS) e, em seguida, lida com uma sequência de quatro colunas (CAS), em vez de trabalhar com um sinal de RAS e um de CAS para cada bit.

Por padrão, memórias FPM são baseados em módulos do tipo SIMM, tanto com 30 quanto com 72 vias.

Memória EDO (Extended Data Output)

A tecnologia sucessora do padrão FPM é a EDO, que possui como destaque a capacidade de permitir que um endereço da memória seja acessado ao mesmo tempo em que uma solicitação anterior ainda está em andamento.

Memórias EDO foram aplicadas principalmente em módulos SIMM, mas também podiam ser encontradas em módulos DIMM de 168 vias.

Houve ainda uma tecnologia semelhante, chamada BEDO (Burst EDO), que trabalhava de modo mais rápido na transferência de dados por ter tempo de acesso menor. Contudo, essa variação quase não foi utilizada, pois tinha custo maior por ser de propriedade da empresa Micron e foi "ofuscada" pela chegada do padrão SDR SDRAM.

Memória SDR SDRAM (ou apenas SDRAM)

As memórias FPM e EDO são assíncronas, o que significa que não trabalham de forma sincronizada com o processador (CPU). Com os processadores se tornando cada vez mais rápidos, essa característica passou a ser um problema, pois muitas vezes a CPU tinha que aguardar por dados na memória RAM de um modo que afetava o seu desempenho.

Já as memórias SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) trabalham de forma sincronizada com o processador, evitando os problemas de atraso. A partir dessa tecnologia, passou-se a considerar a frequência com a qual a memória trabalha como um de seus parâmetros de desempenho.

Surgiram então as memórias SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM), que podiam trabalhar com 66 MHz, 100 MHz e 133 MHz (também chamadas de PC66, PC100 e PC133, respectivamente).

Muitas pessoas se referem a essas memórias apenas como "memórias SDRAM" ou, ainda, como "memórias DIMM", por causa de seu módulo. No entanto, a denominação SDR é a mais adequada tecnicamente.

Módulo de memória SDR SDRAM; este tipo tem duas divisões entre os terminais de contato

Memórias DDR (Double Data Rate)

As memórias DDR (Double Data Rate) são um padrão introduzido por volta do ano 2000 que, assim como a tecnologia SDR SDRAM, trabalha de modo sincronizado com o processador. No entanto, a primeira versão do padrão DDR realiza o dobro de operações por ciclo de clock em relação aos módulos SDR.

A tecnologia foi sendo atualizada ao longo dos anos para aumentar o desempenho da memória em cada ciclo de clock. Até a data de publicação deste texto, cinco tipos de memória DDR já haviam sido desenvolvidos, com cada versão oferecendo mais desempenho em relação à anterior:

• DDR
• DDR2
• DDR3
• DDR4
• DDR5

As memórias DDR4 e DDR5, bem como suas variações, eram os padrões mais utilizados pela indústria na época em que este texto foi publicado (setembro de 2024).

Módulo de memória DDR3

Memória Rambus DRAM (RDRAM)

As memórias Rambus DRAM (RDRAM) receberam esse nome por serem uma criação da empresa Rambus Incorporated. Elas chegaram ao mercado com o apoio da Intel.

A memória Rambus de primeira geração era diferente do padrão SDR SDRAM por trabalhar apenas com 16 bits por vez. Em compensação, esse tipo suportava frequências de até 400 MHz, além de duas operações por ciclo de clock, o que favorecia o seu desempenho.

Em contrapartida, a tecnologia tinha como desvantagens taxas de latência elevadas, geração de mais calor em relação a outros padrões e maior custo.

Curiosamente, as memórias Rambus trabalhavam em pares com "módulos vazios" ou "pentes cegos". Isso significa que, para cada módulo Rambus instalado, um "módulo vazio" tinha que ser instalado em outro slot. Essa tecnologia acabou perdendo espaço para as memórias DDR.

Em linhas gerais, as memórias RDRAM, bem como os padrões sucessores CRDRAM e DRDRAM, nunca tiveram grande aceitação no mercado. Por outro lado, elas não chegaram a ser um "fiasco": o tipo DRAM foi implementado no console de jogos Nintendo 64, por exemplo.

A Rambus como empresa ainda existe, mas foca seus esforços no desenvolvimento de chips e interfaces para diversas tecnologias, como o PCI Express.

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Publicado em 20_09_2024. Atualizado em 20_09_2024.